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ECH8651R
10
9
8
ID -- VDS
1.5V
40
35
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
30
7
6
25
5
4
20
15
ID=2.5A
5.0A
3
10
2
1
0
VGS=1V
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
2
4
6
8
10
| y fs | -- ID
30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13148
10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
IT13149
VDS=10V
25
7
I D=
.5V,
I D=
.1V,
=5A
VGS
=4.5
I D=5
5 °
° C
20
15
10
V GS=
VGS
4.0V,
=3
A
2.5A
=2 5A
V, I D
VGS
5
3
2
Ta
=
--2
25
C
75
° C
5
0
1.0
--50
0
50
100
150
200
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
10
7
5
3
2
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13150
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td (off)
IT13151
VDD=10V
VGS=4V
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
3
2
1000
7
5
3
2
100
tf
tr
td(on)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
4.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
VGS -- Qg
IT13152
2
Drain Current, ID -- A
ASO
IT13295
0 μ
1m
ms
0m
e a
op
t o
n
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
VDS=10V
ID=10A
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
IDP=60A
ID=10A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
DC
10
r
i
10
s
PW ≤ 10 μ s
10
s
s
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 ? 0.8mm) 1unit
1.0
0.5
0
0.1
7 Ta=25 ° C
5 Single pulse
3
2
0.01
0.01 0.1
0
5
10
15
20
25
30
2 3 5 7
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT13296
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13390
No. A1010-3/7
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